2005年7月8日
住友電気工業株式会社

　住友電気工業株式会社は、金属ナノインキを用い、従来インクジェット配線形成法により形成できる配線幅の限界を大きく上回る、線幅10μm以下の微細配線形成技術を開発しました。

　　当社が開発した技術は、分散性に優れた当社独自の金属ナノインキを基板に塗布・焼成し、緻密な金属薄膜を形成した後に、フォトリソグラフィー技術を用いてエッチング加工することで線幅10μm以下の微細配線を形成するものです（図１）。

今回開発した微細配線形成技術の概要は以下の通りです。

1. スパッタ装置や蒸着装置など比較的高価な薄膜形成装置を用いることなく、線幅10μm以下の微細配線の形成が可能です（写真１）。
   
2. 配線の体積固有抵抗は、3×10^-6Ω・cm以下と良好な導電性を示します。
   
3. 金属薄膜レベルの表面平滑性を有し、膜質が良好です。
   
4. 当社金属ナノインキに用いる金属ナノ粒子は、粒子径30nmと微細であり（写真2）、しかも凝集・沈殿のない良好な分散性と分散安定性を実現します。
   
5. この金属ナノインキは、めっき技術を応用した水溶液中での当社独自の反応プロセスにより得られ、真空装置などの特殊な設備を必要としないため、スケールメリットを発揮でき、生産コストを抑えることが期待できます。

　本技術は、今後、液晶ディスプレイTFT(*)配線などエレクトロニクス分野を中心に幅広い分野において新たな配線形成法として、用いられることを期待しています。

以上